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暨南大学-日本NTT公司半导体激光二极管芯片-竞价公告
信息来源: ******[查看]
|地区:全国
|类型:采购公告
基本信息
信息类型:采购公告
区域:全国
源发布时间:2025-03-31
招标单位:******[查看]
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******大学-竞价公告(CB************

发布时间:2025-03-31 14:56:59  截止时间:2025-04-03 15:06:30

基本信息:

申购单号:CB************

签约时间:不签订合同

申购主题:日本NTT公司半导体激光二极管芯片

送货时间:发布竞价结果后3天内送达

******大学

安装要求:免费上门安装(含材料费)

报价要求:C

收货地址:广东省/广州市/天河区/****

发票类型:增值税专用发票

币种:人民币

预算:******

付款方式:B.验收合格后100%T/T支付

备注说明:外贸进口代理公司由校方指定。请报货到指定地点免税全包价,报价******银行手续、报关、报检等各项费用。

申购明细:

采购内容:NTT半导体激光二极管芯片

数量:1.0

预算单价:

品牌:NTT

型号:NLK1U5FAAA-165

规格参数:要求必须是日本NTT的,不要其他品牌的,质量不行。基本特征:

波长范围:1650 nm

输出功率:15 mW

封装类型:蝶形14引脚封装,内置热电制冷器 (TEC),尾纤配备FC/PC连接器。

绝对最大额定值 (环境温度25°C):

激光二极管反向电压 (VR):2.0 V

激光二极管正向电流 (IF):225 mA

工作外壳温度 (Tcase):-5 到 +70 °C

存储温度 (Tstg):-40 到 +85 °C

光电二极管反向电压 (VDR):10 V

光电二极管正向电流 (IDF):10 mA

TEC(Peltier)电流 (IP):1.4 A

电学/光学特性 (环境温度25°C):

正向电压 (VF):典型1.2 V,最大1.6 V (IF = 30 mA)

阈值电流 (ITH):典型15 mA

光纤输出功率 (φe):典型15 mW (IF = 130 mA)

峰值波长 (λp):1625 nm 到 1655 nm (典型值未注明)

光谱线宽 (Δν):典型2 MHz

边模抑制比 (SMS):最小35 dB

监测电流 (IRE(PD)):最小0.1 mA

暗电流 (IR(PD)):最大100 nA (PD在5 V反向电压下)

跟踪误差 (ER):±0.5 dB

TEC制冷能力 (ΔTPE):典型45 °C (Tcase = 70°C,输出功率15 mW)

TEC电压 (VPE):典型0.8 V,最大2.0 V (Tcase = -5 到70°C)

TEC电流 (IPE):典型0.5 A,最大1.2 A (Tcase = -5 到70°C)

热敏电阻 (R):典型10 kΩ (25°C)

隔离度 (Is):典型30 dB

质保及售后服务:要求随叫随到,及时解决技术问题

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快照:2025-03-31
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